4N60C 时间：2025/12/29 13:21:52 阅读：12

4N60C 是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、充电器等高功率场合。该器件具有较高的耐压能力和较大的导通电流能力，适用于需要高效率和高性能的电子电路中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：连续工作时为2.5A（最大值）
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.2Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-251、TO-252等

特性

4N60C 具有良好的导通特性和较高的耐压性能，能够在高压、高电流环境下稳定工作。
　　其栅极驱动电压较低，通常在10V至20V之间即可实现完全导通，有利于降低驱动电路的复杂度。
　　此外，该MOSFET具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小电路体积并提高效率。
　　由于其TO-220等封装形式具备良好的散热能力，因此在中高功率应用中表现出色。
　　4N60C 还具备一定的抗静电能力，可以在一定程度上防止静电击穿损坏。
　　在实际应用中，该器件通常需要配合合适的散热片使用，以确保在大电流工作时不会过热导致性能下降或损坏。
　　同时，设计时需注意栅极驱动电路的稳定性，避免因驱动电压波动而导致导通或关断不稳定。

应用

4N60C 主要用于各种开关电源系统，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
　　它也常用于电机控制电路中，作为H桥的上下桥臂开关器件，实现电机的正反转控制。
　　在逆变器系统中，该MOSFET可用于将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等领域。
　　此外，4N60C 还适用于电池充电器、LED驱动电源、电焊机、电子镇流器等高功率电子设备中。
　　在工业自动化控制系统中，它可以作为功率开关元件，用于控制各种执行机构的启停和调速。
　　由于其良好的高频响应特性，也可用于高频振荡器和射频功率放大器等射频电路中。