型号：DRGH664KB121
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：SiC肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：4A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：70A
　　正向电压降（VF）：1.65V（典型值，@ IF = 4A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：200μA（最大值，@ VR = 650V, TJ = 25°C）；1.5mA（@ TJ = 175°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：D-Pak（TO-252AA）
　　安装方式：表面贴装
　　反向恢复时间（trr）：≈ 0 ns（无反向恢复电荷）
　　热阻（RθJC）：3.5°C/W（典型值）

DRGH664KB121的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的肖特基势垒结构，这使得它在高温、高压和高频工作环境中表现出卓越的电气与热学性能。与传统的硅基PN结二极管相比，该器件没有少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr），从而彻底消除了反向恢复过程中的开关损耗和电磁干扰（EMI）问题。这一特性对于提高开关电源的整体效率至关重要，尤其是在连续导通模式（CCM）下的功率因数校正（PFC）电路中，能够显著降低主开关管的应力并减少系统热量产生。
　　该二极管可在高达175°C的结温下持续运行，展现出优异的热稳定性，减少了对复杂散热系统的依赖，适合在密闭或高温工业环境中使用。同时，其较低的正向压降（VF ≈ 1.65V @ 4A）保证了即使在大电流条件下也能维持较小的导通损耗，进一步提升了能效表现。由于SiC材料本身的宽禁带特性，器件的反向漏电流虽然比硅器件略高，但在合理设计的热管理系统下仍可有效控制，不会影响长期可靠性。
　　DRGH664KB121采用D-Pak（TO-252AA）封装，具备良好的机械强度和焊接可靠性，支持自动化贴片生产流程，便于大规模制造。该封装还提供了较低的热阻（RθJC ≈ 3.5°C/W），有助于将芯片产生的热量高效传导至PCB，延长器件寿命。此外，该器件符合RoHS指令要求，并通过了AEC-Q101汽车级认证，表明其具备足够的可靠性和耐用性，可用于严苛的车载电源系统，如车载充电机（OBC）和DC-DC变换器模块。综合来看，DRGH664KB121是一款面向高端功率电子应用的高性能SiC二极管，兼具效率、可靠性和设计灵活性。

DRGH664KB121广泛应用于需要高效率和高可靠性的现代电力电子系统中。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、电信整流器和数据中心供电单元中，作为输出整流或中间母线箝位元件，利用其零反向恢复特性来提升转换效率并降低噪声。在功率因数校正（PFC）升压拓扑中，该器件常被用作升压二极管，替代传统硅快恢复二极管，以减少开关损耗并允许更高的工作频率，进而缩小磁性元件体积，实现系统小型化。
　　在新能源领域，DRGH664KB121适用于太阳能逆变器中的直流侧防反接和旁路保护电路，以及风力发电变流器中的辅助电源整流环节。其高温工作能力和稳定性使其成为电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）车载充电机（OBC）、DC-DC转换器及电池管理系统（BMS）的理想选择。此外，在UPS不间断电源、医疗电源设备和高密度LED驱动电源中，该器件也发挥着关键作用，帮助满足严格的能效标准（如80 PLUS Titanium）和安全规范。
　　由于其出色的动态性能和鲁棒性，DRGH664KB121还可用于高频感应加热、激光电源和脉冲功率系统等特殊工业应用。在这些场合，快速响应和低损耗特性有助于提高系统响应速度和能量利用率。总体而言，该器件适用于所有追求高效率、小体积、轻重量和长寿命的先进功率转换系统，尤其适合采用GaN或SiC MOSFET作为主开关器件的同步设计平台，形成全宽带隙半导体解决方案。

DRS6-600A
　　Wolfspeed C4D04065A
　　STMicroelectronics STPSC4065DY
　　ON Semiconductor FFSH4065B