IRKL162-16 时间：2025/12/26 19:03:13 阅读：10

IRKL162-16是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，专为高效率开关应用设计。该器件封装在小型化的DirectFET（LSD）封装中，具备极低的导通电阻和优异的热性能，适合在空间受限且对散热要求较高的环境中使用。IRKL162-16广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机驱动等电源管理系统中。其高电流处理能力与快速开关特性使其成为高性能电源设计中的理想选择。该MOSFET在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提高了系统整体能效。此外，DirectFET封装提供了双面散热能力，进一步增强了其热管理性能，适用于高密度PCB布局。器件符合RoHS标准，并具有可靠的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的鲁棒性。

参数

型号：IRKL162-16
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：160 V
　　连续漏极电流（Id）：34 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：136 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：27 mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　Rds(on)测试条件：Vgs = 10 V, Id = 17 A
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值3.0 V，范围2.0～4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约2800 pF（Vds=80V, Vgs=0V）
　　输出电容（Coss）：约650 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值35 ns
　　功耗（Pd）：150 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DirectFET（LSD）

特性

IRKL162-16的核心特性之一是其采用的先进沟槽栅极技术和场截止结构，这种设计显著降低了导通电阻Rds(on)，同时保持了良好的开关速度和稳定性。在Vgs为10V时，其最大Rds(on)仅为27mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效减少传导损耗，提升整体电源转换效率。此外，该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg），典型值约为60nC，有助于降低驱动电路的功耗，特别适用于高频开关电源拓扑如同步降压转换器。其输出电容（Coss）也经过优化，减少了关断过程中的能量损耗。
　　另一个关键特性是其DirectFET LSD封装。该封装形式允许从顶部和底部同时进行散热，极大提升了热传导效率，尤其适合安装在多层PCB或带有散热片的设计中。与传统D-Pak或SO-8封装相比，DirectFET在相同占板面积下提供更优的热阻性能，典型结到环境热阻（RthJA）可低至40°C/W，具体取决于PCB布局和铜箔面积。这种封装还减少了寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象，提高系统的EMI性能。
　　IRKL162-16还具备良好的抗雪崩能力和稳健的体二极管性能，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中保护器件不被损坏。其体二极管的反向恢复时间较短（典型35ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），从而降低了开关节点的尖峰电压和电磁干扰风险。此外，该器件支持宽温度范围操作（-55°C至+175°C），可在恶劣工业或汽车环境下稳定运行。所有这些特性共同使IRKL162-16成为高功率密度、高可靠性电源系统中的优选器件。

应用

IRKL162-16广泛用于多种高效率电源转换场景。在DC-DC降压变换器中，它常作为主开关或同步整流器使用，特别是在服务器电源、通信设备和高端主板VRM（电压调节模块）设计中，因其低Rds(on)和高电流能力而表现出色。其快速开关特性也使其适用于电池供电系统中的负载开关，用于控制电源路径并实现低静态功耗管理。
　　在电机驱动应用中，IRKL162-16可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流电机或步进电机，其高耐压（160V）特性适合中等电压等级的工业控制设备。此外，在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，该器件可用于DC总线侧的开关单元，执行能量转换和线路切换功能。
　　由于其优异的热性能和紧凑封装，IRKL162-16也常见于空间受限的嵌入式系统和便携式工业设备中。在汽车电子领域，尽管非车规级版本主要用于工业用途，但其高结温能力和稳定性仍可支持部分辅助电源系统的设计。总体而言，任何需要高效、高电流、高压开关能力的应用都可以考虑使用IRKL162-16作为核心功率开关元件。