型号：DRGH110KB221
　　制造商：Vishay Siliconix
　　封装类型：SIP（单列直插式）
　　引脚数：8
　　总长度：约25.4 mm
　　宽度：约2.54 mm
　　高度：约6.35 mm
　　电阻数量：4
　　标称阻值：220 Ω
　　阻值公差：±10%
　　温度系数：±200 ppm/°C
　　额定功率：1.0 W（整体）
　　最大工作电压：300 V
　　绝缘电阻：>10 GΩ
　　耐压：500 Vrms
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +155°C
　　焊接条件：符合J-STD-020回流标准

DRGH110KB221具备优异的电阻匹配与温度跟踪性能，使其在精密模拟电路中表现出色。其内部四个电阻采用同一厚膜材料在同一陶瓷基板上制造，确保了高度一致的热膨胀系数和温度响应行为，从而实现良好的温漂匹配特性，典型ΔTCR（相对温度系数）低于±200ppm/°C，这意味着在温度变化时各电阻值同步漂移，维持比例关系稳定，极大提升了差分信号链路的共模抑制能力。这种特性对于工业级传感器接口、应变计放大器和高精度ADC驱动电路尤为重要。
　　该器件采用高纯度氧化铝陶瓷基板，具有优良的导热性和机械强度，能够有效散发热量并抵抗热应力开裂。厚膜电阻层经过激光微调修整，确保阻值精度达到标称要求，并具备长期稳定性，老化系数小于1%（在额定功率下工作1000小时后）。此外，器件外部使用高强度环氧树脂进行密封包覆，提供防潮、防尘、抗溶剂侵蚀的能力，适用于恶劣工业环境。
　　电气方面，DRGH110KB221具有低寄生参数，包括极低的等效串联电感（ESL）和电容（ESC），使其在高频应用中仍能保持接近理想的电阻行为，避免相位失真或谐振现象。其高绝缘电阻（>10GΩ）和耐压能力（500Vrms）保证了通道间良好的电气隔离，防止漏电流影响信号完整性。所有金属化端子均采用镍阻挡层加锡镀层结构，不仅提高了焊接可靠性，还防止了铜扩散导致的界面退化，延长了器件寿命。
　　由于其标准化SIP封装形式，DRGH110KB221可直接插入PCB通孔或通过适配器用于表面贴装，兼容自动化装配设备。同时，该系列广泛应用于测试测量仪器、医疗设备、通信基础设施和汽车电子控制系统中，作为精密分压器、反馈网络或终端匹配元件。其通过AEC-Q200认证的特点也表明其具备车规级可靠性，能在剧烈振动、湿度循环和温度冲击条件下稳定运行。

DRGH110KB221主要用于对电阻匹配精度和温度稳定性要求较高的模拟信号调理电路中。典型应用场景包括精密运算放大器的反馈与增益设置网络，特别是在差分放大架构中用作输入分压器以提高共模抑制比（CMRR）。在数据采集系统和工业自动化控制模块中，它常被用于构建高精度电阻桥式传感器的信号调理前端，如压力传感器、扭矩传感器和热电偶冷端补偿电路，确保微弱信号的有效提取与放大。
　　在测试与测量设备领域，如数字万用表、示波器前端衰减器和校准源中，该电阻阵列因其长期稳定性和低漂移特性而被广泛采用，用于构建精密分压链或基准参考网络。在通信系统中，可用于高速差分线路接收端的终端匹配，减少信号反射和串扰，提升信号完整性。
　　此外，在汽车电子应用中，例如电机控制单元（ECU）、电池管理系统（BMS）和ADAS传感器接口电路中，DRGH110KB221凭借其宽工作温度范围和AEC-Q200认证，成为可靠的选择。医疗电子设备如患者监护仪和成像系统也利用其高绝缘性和低噪声特性来保障信号安全与准确性。最后，在电源管理电路中，该器件还可用于电流检测、电压监测和反馈环路中的电阻分压结构，尤其适用于需要多通道同步采样的场合。