时间：2025/9/9 2:16:45
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DR127-2R0 是一款由 Diodes 公司（原达尔科技）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于中高功率应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：20V
最大栅源电压 Vgs：±12V
最大连续漏极电流 Id：4A
导通电阻 Rds(on)：20mΩ（典型值）
封装形式：DFN2020-6
工作温度范围：-55°C 至 150°C
功率耗散：1.2W
DR127-2R0 采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺，具备极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为 20mΩ，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。其最大漏源电压为 20V，最大连续漏极电流可达 4A，适用于中低电压功率转换应用。
该器件的栅极驱动电压范围为 4.5V 至 12V，兼容常见的逻辑电平控制电路，如微控制器和 PWM 控制器。此外，其 DFN2020-6 封装具有较小的占板面积和优异的热性能，有助于在高功率密度设计中实现良好的散热。
在可靠性方面，DR127-2R0 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在各种恶劣环境条件下仍能稳定运行。其栅极氧化层具有高击穿电压和良好的抗静电能力，提高了器件的长期稳定性和耐用性。该 MOSFET 还内置了反向体二极管，可用于续流和保护电路，进一步增强其在电源转换系统中的适用性。
DR127-2R0 主要应用于同步整流、DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电池供电设备、电源管理系统、马达驱动电路以及便携式电子设备中的高效功率控制场景。由于其低导通电阻和小封装尺寸，特别适用于空间受限但要求高效率的嵌入式系统和消费类电子产品设计中。
Si2302DS, AO4406, BSS138K, FDS6675
