DR127-101-R 时间：2025/12/29 13:40:52 阅读：11

DR127-101-R 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用设计，具有低导通电阻、高功率密度和快速开关性能，适用于负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备等应用场景。该封装为 SOT-223，便于表面贴装，适合高密度 PCB 设计。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：-20V
　　栅源电压 Vgs：±12V
　　连续漏极电流 Id（@25°C）：-4A
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs=4.5V）：最大 80mΩ
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs=2.5V）：最大 110mΩ
　　功率耗散（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

DR127-101-R 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高系统效率。在 4.5V 栅极驱动电压下，Rds(on) 最大为 80mΩ，而在更低的 2.5V 栅极电压下，Rds(on) 也保持在 110mΩ 以内，显示出良好的低电压驱动能力。
　　此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和热阻性能，SOT-223 封装设计能够有效散热，适用于空间受限但需要良好热管理的设计场景。该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容多种控制电路，例如 PWM 控制器或微处理器输出。
　　该器件的开关速度较快，具有较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），有利于减少开关损耗，提高转换效率，适用于高频 DC-DC 转换器等应用。同时，其内部结构优化，减少了寄生电感和电容的影响，提高了器件在高频和高电流条件下的稳定性。
　　此外，DR127-101-R 还具备良好的耐久性和可靠性，符合 RoHS 标准，适用于工业级和消费类电子产品。

应用

DR127-101-R 广泛应用于各种电源管理系统中，例如负载开关、同步整流器、电池供电设备中的 DC-DC 转换器、低压降稳压器（LDO）的辅助开关，以及手持设备、笔记本电脑、平板电脑和移动电源等便携式电子产品的电源管理模块。
　　在负载开关应用中，该 MOSFET 可用于控制电源供应的通断，从而实现对系统模块的节能管理。在 DC-DC 转换器中，它可以作为高边或低边开关，配合电感和电容构成高效的电压转换电路。此外，该器件还可用于马达驱动、LED 背光驱动、USB 电源管理等场合，提供高效率、小体积的功率控制方案。
　　由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适用于对空间和效率要求较高的嵌入式系统和便携式设备中，有助于减少电路板面积和提高整体系统效率。