DPG60C400HB 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式结构,能够显著降低导通电阻和开关损耗,从而提高整体系统效率。它广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器以及各种工业控制领域。
这款 MOSFET 具有极低的导通电阻和优异的热性能,能够在高电流条件下保持稳定的运行状态。其封装形式通常为 TO-247 或 D2PAK,便于散热设计,并支持表面贴装工艺。
最大漏源电压:400V
连续漏极电流:60A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷:85nC
输入电容:1800pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247 或 D2PAK
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保高效的功率转换。
2. 快速开关速度减少开关损耗,适用于高频应用场景。
3. 高击穿电压 (400V) 提供了良好的可靠性。
4. 内置雪崩保护功能,增强了器件在过载条件下的耐受能力。
5. 小型化封装结合出色的热性能,适合紧凑型设计需求。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
7. 支持多种保护机制,包括短路保护和过温关断功能。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能微逆变器及功率优化器。
3. 工业电机驱动与伺服控制器。
4. 电动汽车牵引逆变器及车载充电器。
5. LED 驱动器和大功率照明系统。
6. 不间断电源 (UPS) 及电池管理系统 (BMS)。
7. 高频谐振电路及无线电能传输设备。
DPG50C400HB, IRFP460, STP60NF40L