时间：2025/8/2 9:03:54
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NSS60601MZ4T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于高频率和高速开关应用，具备良好的热稳定性和较高的可靠性。由于其采用 SOT-23 封装，适合用于空间受限的电路板设计。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：60 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：60 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
电流增益（hFE）：在 2 mA 时为 110 至 800（取决于等级）
过渡频率（fT）：100 MHz
工作温度范围：-55°C 至 150°C
NSS60601MZ4T1G 拥有多个重要特性，使其适用于各种高频和低功耗应用。首先，其高过渡频率（fT）达到 100 MHz，适合用于高频放大和开关电路。其次，晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的等级划分，可在 110 到 800 之间变化，这使得该器件在多种偏置条件下都能保持良好的放大性能。
此外，该晶体管的最大集电极-发射极电压（Vce）和集电极-基极电压（Vcb）均为 60 V，能够承受较高的电压应力，适用于需要较高电压稳定性的电路。其最大集电极电流为 100 mA，在低功耗应用中表现出色，同时也能满足中等功率放大和开关需求。
NSS60601MZ4T1G 采用 SOT-23 小型封装，便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装还具有良好的热稳定性，确保晶体管在高温环境下仍能正常工作。器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车电子应用。
该晶体管还具有较低的饱和压降（Vce(sat)），有助于减少开关过程中的能量损耗，提高电路的整体效率。这种特性使其非常适合用于数字开关电路、逻辑门驱动器以及小型信号放大器。
NSS60601MZ4T1G 适用于多种高频和低功耗电子电路。常见的应用包括射频（RF）放大器、高速开关电路、数字逻辑电路、传感器接口电路、音频前置放大器以及汽车电子系统中的信号处理模块。此外，它也可用于工业自动化控制设备和消费类电子产品中的小型信号放大与切换。
BC547, 2N3904, PN2222A
