时间：2025/5/9 10:04:03
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DPA423GN 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和出色的开关性能，适用于各种需要高效能和高可靠性的电路设计场景。其主要应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻：80mΩ
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃至175℃
DPA423GN 采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点。它能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体效率。
此外，这款器件还具有较高的雪崩击穿能量能力，增强了其在恶劣环境下的可靠性。同时，由于其小尺寸封装，非常适合空间受限的应用场合。
该芯片广泛用于消费类电子产品的电源适配器、笔记本电脑充电器、LED驱动器以及工业设备中的开关电源模块。它也可用于汽车电子系统中作为负载开关或保护电路组件。其他典型应用包括电池管理系统、光伏逆变器等需要高效功率转换的领域。
IRFZ44N
FDP5802
AO3400
