DP50D1200101807 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET模块,适用于高功率和高频率的应用场景。该模块采用先进的封装技术,具备良好的热管理和电气性能,适用于工业电源、电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)等电力电子设备。
类型:功率MOSFET模块
漏源电压(Vds):1200V
连续漏极电流(Id):50A
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:双列直插式(DIP)
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.18Ω
栅极驱动电压:10V ~ 20V
最大功耗:180W
DP50D1200101807 具备多项优良特性,包括高耐压能力、低导通电阻以及优异的热稳定性,适用于高功率密度和高效率的设计需求。
首先,该器件的漏源电压(Vds)为1200V,能够承受较高的电压应力,适用于高压应用场合,如工业电源和逆变器系统。
其次,连续漏极电流为50A,具备较强的电流承载能力,适合用于大功率负载的开关控制。
其导通电阻(Rds(on))仅为0.18Ω,有效降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。
此外,该模块的封装形式为双列直插式(DIP),具备良好的散热性能,能够在高负载条件下保持稳定的运行温度。
该模块的最大功耗为180W,能够在高功率应用中保持良好的热管理和可靠性。
最后,DP50D1200101807 的栅极驱动电压范围为10V至20V,适用于多种驱动电路设计,确保开关性能的稳定性和可控性。
DP50D1200101807 主要应用于高功率电力电子设备中,如工业电源、不间断电源(UPS)、电机驱动器、逆变器以及电能转换系统。
在工业电源领域,该模块可作为功率开关元件,用于DC/DC转换器或AC/DC整流器,提供高效稳定的能量转换。
在不间断电源系统中,该模块可用于逆变电路,将直流电转换为交流电,为关键设备提供稳定的电源供应。
在电机驱动器中,DP50D1200101807 可作为主开关元件,实现对电机速度和扭矩的精确控制,适用于变频器和伺服驱动系统。
此外,在新能源系统如太阳能逆变器中,该模块可用于将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电并馈入电网。
由于其高耐压、低导通电阻和良好散热性能,该模块也广泛应用于高频开关电源、电焊机和电镀电源等工业设备中。
SKM50GB120D, IRGP50B60PD1S