时间：2025/7/16 11:04:35
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DP2-60N是一种高性能的双列直插式功率MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换的场景。该器件采用N沟道技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，能够有效降低功耗并提高系统效率。
DP2-60N的设计使其能够在高频应用中保持出色的性能表现，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。其封装形式通常为TO-220或DPAK，便于散热管理和电路板布局。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：15nC
开关速度：100kHz-1MHz
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 超低导通电阻，可显著减少功率损耗。
2. 高击穿电压设计，确保在高压环境下可靠运行。
3. 快速开关能力，适用于高频功率转换应用。
4. 内置ESD保护，提升器件的抗静电能力。
5. 热增强型封装，改善散热性能以支持大功率操作。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅工艺制造。
1. 开关电源（SMPS）中的功率级控制。
2. 电机驱动与控制，例如直流无刷电机（BLDC）。
3. 工业逆变器及不间断电源（UPS）。
4. LED驱动器中的电流调节。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
IRFZ44N, FDP178N, STP36NF06L
