类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：DO-214AC（SMA）
　　标称齐纳电压：3.3V
　　齐纳电压容差：±5%
　　齐纳测试电流（IZT）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：20Ω
　　最大反向漏电流（IR）：1μA
　　功率耗散：1W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　引脚数：2

DO3340P-333齐纳二极管在低压稳压应用中表现出色，其核心特性之一是稳定的3.3V齐纳击穿电压，适用于现代低电压数字和模拟电路的参考源需求。该器件在5mA的测试电流下能够提供精确的电压输出，确保在典型工作条件下保持良好的电压调节性能。其±5%的电压容差控制严格，有助于提升系统的一致性和可预测性，减少因元件偏差带来的设计裕量问题。齐纳阻抗低于20Ω，意味着在负载变化时电压波动较小，提升了稳压效果。
　　该器件采用DO-214AC（SMA）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程。1W的功率耗散能力使其能够在短时间内承受较高的功耗，适用于应对瞬态过压事件，如电源波动或ESD脉冲。其低反向漏电流（最大1μA）保证了在非导通状态下的高阻抗特性，减少了对电路其余部分的干扰，特别适合电池供电设备以降低静态功耗。
　　DO3340P-333具备出色的温度稳定性，能够在-55°C至+150°C的结温范围内可靠运行，适用于宽温环境下的工业和汽车电子应用。其结构设计有效抑制了热漂移效应，确保电压参考随温度变化保持稳定。此外，该器件通过了多项国际认证，符合AEC-Q101等可靠性标准（若适用），增强了在严苛环境中的耐用性。由于其快速响应时间和低动态阻抗，DO3340P-333也可用作瞬态电压抑制器（TVS）的补充元件，在多级保护电路中发挥重要作用。

DO3340P-333广泛应用于需要精密电压参考和过压保护的电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它常被用于为低电压逻辑电路提供稳定的3.3V基准，同时防止充电接口或数据端口受到静电放电（ESD）损害。在电源管理系统中，该器件可用于反馈回路中的电压采样点保护，确保控制IC不会因异常电压而损坏。
　　在通信模块和接口电路（如USB、I2C、UART）中，DO3340P-333可作为信号线的箝位二极管，限制瞬态电压幅度，保护下游CMOS器件免受高压冲击。其快速响应能力使其成为瞬态抑制网络中的关键组成部分，尤其适用于高频信号路径的保护设计。
　　在工业控制和传感器系统中，该齐纳二极管可用于为模拟前端提供偏置电压或保护ADC输入通道，防止因接线错误或感应电压导致的损坏。此外，在汽车电子应用中，尽管需确认是否通过AEC-Q101认证，但类似型号常用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和传感器接口中，以增强系统的电磁兼容性（EMC）和长期可靠性。
　　由于其小型化封装和高可靠性，DO3340P-333也适用于医疗电子设备、物联网节点和无线传感器网络等对空间和功耗敏感的设计场景。无论是作为电压钳位器、基准源还是辅助保护元件，该器件都能在多种电路拓扑中发挥关键作用，提升整体系统稳健性。

BZX84C3V3, MMBZ5226B, 1N5226B, SZBZD27-3V3, CDBZ3.3