类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：48A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.0135Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.017Ω @ Vgs=4.5V
　　功率耗散：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：DPAK（TO-252）

HUF75229P3采用先进的Trench沟槽技术，具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，同时具备良好的热稳定性。
　　该MOSFET的高电流处理能力可达48A，使其适用于高功率负载应用，如电源转换器、DC-DC转换器和电机控制电路。此外，HUF75229P3在Vgs=4.5V时仍能保持较低的导通电阻，支持逻辑电平驱动，适用于微控制器直接控制的场合。
　　其DPAK（TO-252）封装形式提供了良好的散热性能，适合在高温环境下运行，确保长时间工作的稳定性。该器件还具备出色的雪崩能量耐受能力，提高了在高应力条件下的可靠性。
　　另外，HUF75229P3的栅极驱动电压范围较宽，可达±20V，具备较强的抗干扰能力和稳定性。这使得它在各种电源管理应用中具备较高的设计灵活性。

HUF75229P3广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。主要应用场景包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET作为开关元件使用，能够有效降低导通损耗，提高转换效率。在同步整流器中，HUF75229P3可替代传统二极管以减少压降和损耗，从而提升系统整体性能。
　　在电机驱动和负载开关电路中，该器件能够承受高电流负载，并通过低Rds(on)特性减少发热，提高系统稳定性。此外，HUF75229P3也适用于高功率电池管理系统，如电动车、储能设备和便携式电源设备中的功率控制模块。
　　该器件还常用于工业自动化设备、电源适配器、服务器电源和消费类电子产品中的高效能电源管理电路。

Si4410BDY, IRF1404, FDP75229, IPD75229, NTD75229P