时间：2025/8/2 6:18:20
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DMT6017LSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其SOT23-3封装形式使其适用于空间受限的便携式电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：500mA（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值1.7Ω（在Vgs=10V）
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT23-3
DMT6017LSS-13具有低导通电阻和高开关速度，这使其在高频开关应用中表现出色。该器件的热稳定性优异，能够在高温环境下稳定运行，同时具备良好的抗过载能力。此外，其SOT23-3封装形式不仅节省空间，还便于表面贴装工艺（SMT），提高了生产效率。该MOSFET还具有良好的静电放电（ESD）保护能力，确保在实际应用中的可靠性。
DMT6017LSS-13的设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体能效。其栅极驱动电压范围宽，可在4.5V至20V之间正常工作，适合多种驱动电路配置。该器件的高可靠性和耐用性使其成为消费电子、工业控制和通信设备中的理想选择。
DMT6017LSS-13常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及各种便携式电子设备中的电源管理电路。其优异的开关性能也使其适用于LED驱动、传感器接口电路和低功耗控制系统。
Si2302DS, FDN340P, 2N7002K
