时间：2025/8/2 8:10:44
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DMT6016LSS-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关等应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适用于便携式设备、DC-DC 转换器和电池供电系统等对功耗和空间要求较高的场合。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 (Vds)：-20V
栅源电压 (Vgs)：±12V
连续漏极电流 (Id)：-6A
导通电阻 (Rds(on))：30mΩ @ Vgs = -4.5V，52mΩ @ Vgs = -2.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT26
DMT6016LSS-13 的核心特性包括低导通电阻、高电流承载能力和出色的热稳定性。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率，适用于高频率开关应用。此外，该器件在 -4.5V 和 -2.5V 的栅极驱动电压下均能保持较低的 Rds(on)，这使其适用于多种电源管理应用，尤其是那些使用低电压控制电路的设计。其 SOT26 封装形式提供了较小的占板面积，非常适合空间受限的设计。Diodes Incorporated 还在制造过程中采用了先进的工艺技术，确保了该器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。
此外，DMT6016LSS-13 具有良好的热保护能力，能够在高负载条件下保持稳定运行，并减少因过热而导致的性能下降或损坏。其高栅极击穿电压（±12V）也提供了更高的设计灵活性，使其能够兼容多种驱动电路。由于其出色的电气特性和物理封装优势，该器件广泛应用于便携式电子产品、电源管理系统和电池供电设备。
DMT6016LSS-13 主要用于需要高效电源管理的电子系统中。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和低电压电源控制电路。由于其低导通电阻和小尺寸封装，它特别适用于对空间和能效要求较高的便携式设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。此外，该 MOSFET 还可用于工业控制系统、传感器电源管理以及各类嵌入式系统的电源调节模块。
Si4405BDY-E3-GEVB, FDC640P, IRML6401
