时间：2025/12/26 12:43:12
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DMT6004SCT是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23（SC-59）小型表面贴装封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件设计用于在低电压和中等电流条件下实现高效的开关操作，具备较低的导通电阻和栅极电荷，有助于降低功耗并提升系统效率。DMT6004SCT广泛应用于电源管理、电池供电设备、负载开关、电机驱动以及各类DC-DC转换电路中。其P沟道特性使其在高边开关应用中尤为适用，无需额外的电平移位电路即可实现控制。由于采用成熟的沟槽栅技术，该MOSFET在性能与可靠性之间实现了良好平衡，适合工业、消费类及通信领域的产品设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.8A（@ VGS = -10V）
脉冲漏极电流（IDM）：-19.2A
导通电阻RDS(on)：42mΩ（@ VGS = -10V）
导通电阻RDS(on)：55mΩ（@ VGS = -4.5V）
栅极阈值电压（Vth）：-1V ~ -2V
输入电容（Ciss）：470pF（@ VDS = -15V）
反向恢复时间（trr）：26ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装/包装：SOT-23（SC-59）
DMT6004SCT采用先进的沟槽栅极工艺制造，具有优异的导通性能和开关速度。其低RDS(on)特性显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其在电池供电系统中可有效延长续航时间。在VGS为-10V时，典型导通电阻仅为42mΩ，即使在较低的-4.5V栅压下也能保持55mΩ的低阻值，确保了在宽输入电压范围内的稳定性能。该器件的低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使其在高频开关应用中表现出色，减少了驱动电路的负担并提高了整体能效。其快速的开关响应能力使得它适用于DC-DC转换器中的同步整流或负载切换功能。
热稳定性方面，DMT6004SCT具备良好的热阻特性，结合小尺寸封装仍能承受一定的持续电流负载。器件的最大结温可达150°C，支持严苛环境下的可靠运行。同时，其栅极氧化层经过优化设计，具备较高的抗静电（ESD）能力和栅极耐压（±20V），增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。SOT-23封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，适合大规模制造。此外，该MOSFET无卤素且符合RoHS指令，满足现代电子产品对环保和安全性的要求。在高边开关应用中，由于是P沟道结构，可以直接由逻辑电平控制，无需复杂的电平移位电路，简化了系统设计复杂度。
DMT6004SCT常用于需要紧凑设计和高效电源管理的场合。典型应用场景包括便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关与电池保护电路。在这些系统中，它可用于控制不同功能模块的供电通断，实现低功耗待机模式。此外，该器件也广泛应用于各类适配器、充电器和USB供电路径管理中，作为负载开关来防止反向电流或过流情况。在DC-DC降压转换器中，DMT6004SCT可作为上管开关使用，配合控制器实现高效的电压调节。工业控制板、传感器模块和小型电机驱动电路也常采用该型号进行信号切换或功率控制。由于其高可靠性与小封装特性，特别适合对体积敏感且要求长期稳定运行的设计。另外，在热插拔电路和电源排序系统中，该MOSFET能够提供平稳的上电过程，避免电压冲击对后级电路造成损害。其快速响应能力也使其适用于PWM调光、LED驱动等需要频繁开关的场景。
AO3401A,ZXM61P03G,FDN340P,FQP4P06
