时间：2025/5/13 16:54:17
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CRJQ30N60G2F是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高功率应用。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合要求高效能和可靠性的电路设计。其额定电压为600V，能够承受较高的漏源电压，并且具备出色的电流处理能力。
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：150mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：348W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
CRJQ30N60G2F拥有较低的导通电阻，从而减少传导损耗并提高效率。同时，它支持快速开关操作，可以有效降低开关损耗。
该器件具备强大的雪崩能力和鲁棒性，确保在异常条件下仍能正常工作。
此外，其优化的热阻设计有助于提升散热性能，延长使用寿命。
这款MOSFET还兼容标准驱动电路，便于集成到各种电力电子系统中。
该型号广泛应用于工业和消费类电子产品领域，例如开关电源(SMPS)、直流电机驱动、不间断电源(UPS)、逆变器、电池保护电路以及电磁阀控制等场景。其高电压耐受能力和大电流承载能力使其特别适合需要高可靠性及高性能表现的应用场合。
CRJQ30N60G2E, CRJQ30N60G3F
