类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-5.7A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-17.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：31mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：39mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：590pF（@ VDS = -10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：24ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（PM6800）
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：单通道

DMT47M2SFVWQ-7采用先进的沟槽式MOSFET工艺，确保了极低的导通电阻与优异的开关性能。其最大RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为31mΩ，这使得在低电压应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。特别是在电池供电系统中，低RDS(on)意味着更小的压降和发热，有助于延长电池续航时间。
　　该器件支持-5.7A的连续漏极电流，在同类P沟道MOSFET中表现出较强的载流能力，适合用于负载开关或电源路径控制。其快速的开关特性（开启延迟7ns，关断延迟24ns）使其能够在高频开关环境中稳定工作，减少开关损耗，提升动态响应能力。
　　DMT47M2SFVWQ-7具备-20V的漏源击穿电压，适用于12V及以下的电源系统，如便携式消费电子、USB电源开关、电池管理系统等。其阈值电压典型值为-1.0V，可在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，兼容3.3V或1.8V逻辑电平控制，简化了驱动电路设计。
　　该器件通过AEC-Q101汽车级认证，表明其在温度循环、高温反偏、机械冲击等严苛测试条件下仍能保持稳定性能，适合应用于车载信息娱乐系统、传感器模块、车身控制模块等汽车电子场景。同时，内置的ESD保护（HBM 2kV）提升了器件在装配和使用过程中的抗静电能力，降低了因静电损坏导致的失效率。
　　SOT-23封装尺寸小巧（约2.9mm x 1.3mm），节省PCB空间，便于高密度布局。无铅、无卤素的设计符合RoHS和REACH环保标准，适用于全球市场的绿色环保产品设计需求。热性能方面，其结至环境热阻约为417°C/W，建议在高功率应用中配合适当的PCB铜箔散热设计以确保可靠性。

DMT47M2SFVWQ-7广泛应用于需要高效、小型化P沟道MOSFET的各类电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电池电源开关，用于控制电池与主系统的连接与断开，实现低静态功耗待机与安全保护功能。在智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该器件可用于负载开关，精确控制不同功能模块的供电，优化系统能耗。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载摄像头电源管理、LED照明控制、车窗升降器控制电路中的信号或电源切换。其AEC-Q101认证确保了在-40°C至+125°C甚至更高结温环境下长期运行的稳定性，满足汽车应用对可靠性的严苛要求。
　　此外，该器件也适用于工业控制模块、传感器供电管理、热插拔电路以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。在USB接口电源管理中，DMT47M2SFVWQ-7可用于过流保护和热插拔控制，防止短路或异常负载对主电源造成影响。
　　由于其良好的栅极驱动兼容性，该MOSFET可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外电平转换或驱动IC，简化了电路设计并降低成本。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电路径的通断控制，配合保护IC实现多重安全机制。总之，凡需P沟道MOSFET进行电源或信号切换的低电压、中等电流场合，DMT47M2SFVWQ-7均是一个高性价比且可靠的解决方案。

DMG2305U-7
　　SI2301BDS-T1-E3
　　AO3415