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DMT43M8LFV 发布时间 时间:2025/6/6 12:31:21 查看 阅读:5

DMT43M8LFV是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。

参数

型号:DMT43M8LFV
  类型:N沟道MOSFET
  封装:TO-263
  最大漏源电压(V_DS):40V
  最大栅源电压(V_GS):±20V
  连续漏极电流(I_D):15A
  导通电阻(R_DS(on)):2.7mΩ(在V_GS=10V时)
  总栅极电荷(Q_g):39nC
  输入电容(C_iss):1320pF
  输出电容(C_oss):290pF
  反向恢复时间(t_rr):47ns

特性

DMT43M8LFV采用了先进的制造工艺,确保其具备以下优异性能:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低导通损耗。
  2. 高速开关能力,减少开关损耗并提升效率。
  3. 强大的电流承载能力,适用于大功率应用环境。
  4. 良好的热性能表现,确保在高温环境下仍能稳定工作。
  5. TO-263封装设计,便于安装与散热管理。
  6. 具备较高的抗雪崩能力和耐用性,提升了整体可靠性。
  这款MOSFET非常适合用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备中。

应用

DMT43M8LFV广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品中的功率转换模块。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  由于其卓越的性能和可靠性,DMT43M8LFV成为了众多工程师在设计高效、紧凑型功率转换系统时的首选器件。

替代型号

DMT43M8LFT, DMT43M8LFS

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