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DMT4008LFV 发布时间 时间:2025/4/30 17:43:51 查看 阅读:4

DMT4008LFV 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 DFN10 封装形式。该器件主要应用于需要高效能开关和低导通损耗的场景中,如直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理。
  这款 MOSFET 具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和高切换速度,能够在高频应用中提供卓越的性能表现。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:5.2A
  导通电阻:17mΩ
  栅极电荷:16nC
  总电容:340pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

DMT4008LFV 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 小尺寸封装设计,适合空间受限的应用。
  3. 高切换速度支持高频操作,能够降低电磁干扰 (EMI) 并简化滤波器设计。
  4. 优秀的热性能,确保在高电流条件下也能保持稳定运行。
  5. 支持宽广的工作温度范围,适用于各种恶劣环境下的使用需求。

应用

DMT4008LFV 被广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 笔记本电脑和平板电脑中的负载开关及电池保护电路。
  3. 消费类电子产品中的电机驱动与控制。
  4. 工业自动化设备中的信号调节与功率传输。
  5. 各种便携式设备中的高效电源管理解决方案。

替代型号

DMT4008LNV, FDP5808

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