制造商：SK hynix
　　产品类型：NAND闪存
　　型号：H9HCNNN8KUMLHR-NMO
　　存储容量：8GB
　　接口类型：ONFI 2.3（Open NAND Flash Interface）
　　电压范围：1.8V / 3.3V 双电源供电
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据读取速度：最高可达50MB/s
　　数据写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约1.5ms
　　可靠性：10万次擦写周期
　　ECC要求：需要外部ECC支持（如控制器提供）
　　工艺制程：基于先进制程技术制造

H9HCNNN8KUMLHR-NMO 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，专为高密度存储应用而设计。其核心特性包括大容量存储、高速数据读写、低功耗设计以及出色的耐用性和可靠性。
　　首先，该芯片的存储容量为8GB，适用于需要中等至大容量存储的应用场景，例如移动设备的内部存储、嵌入式系统的程序和数据存储等。该容量在当时的NAND闪存产品中属于较高水平，能够满足多种复杂应用的需求。
　　其次，该芯片采用ONFI 2.3接口标准，支持高速数据传输。数据读取速度最高可达50MB/s，写入速度可达20MB/s，能够显著提升系统整体性能。同时，块擦除时间仅为1.5ms，大大提高了数据管理的效率。
　　此外，H9HCNNN8KUMLHR-NMO 采用1.8V / 3.3V双电源供电设计，既支持低电压操作以降低功耗，又保证了与多种控制器的兼容性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境，确保在恶劣条件下依然稳定运行。
　　该芯片的封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），具有良好的散热性能和机械稳定性，适合各种PCB布局设计。同时，其支持10万次擦写周期，具备较高的耐用性，适用于频繁读写操作的场景。
　　需要注意的是，该NAND闪存芯片需要外部ECC（错误校正码）支持，通常由主控芯片或控制器提供。因此，在系统设计时需确保主控具备ECC功能，以保障数据的完整性和可靠性。

H9HCNNN8KUMLHR-NMO NAND闪存芯片主要应用于需要中高容量存储和高性能数据处理的设备中。常见的应用领域包括智能手机和平板电脑的内部存储、嵌入式系统的程序和数据存储、工业控制设备的数据记录、便携式媒体播放器、车载娱乐系统以及固态硬盘（SSD）等存储设备。
　　在移动设备中，该芯片可作为主存储器，用于存放操作系统、应用程序和用户数据，其高速读写性能有助于提升设备响应速度和用户体验。
　　在工业控制和自动化设备中，该芯片可用于存储系统固件、操作日志和实时数据，其宽温工作范围和高可靠性确保设备在复杂环境中稳定运行。
　　此外，该芯片还可用于消费类电子产品，如数码相机、MP3播放器、电子书阅读器等，提供稳定可靠的大容量存储解决方案。

H9TNNN8GDMLCTR-NMO, H9TPNNN8GDMCTR-NMO, K9F8G08U0A, K9F8G08U0E