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DMT3N4R2U224M3DTA0 发布时间 时间:2025/5/22 23:00:22 查看 阅读:16

DMT3N4R2U224M3DTA0 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),具有出色的开关速度和低导通电阻特性。该器件广泛应用于高频、高效能的电力转换场景,例如 DC-DC 转换器、电源适配器以及充电器等应用中。
  其设计旨在提供更高的功率密度和效率,同时减小系统尺寸和重量,是现代电力电子设计的理想选择。

参数

型号:DMT3N4R2U224M3DTA0
  类型:增强型 GaN HEMT
  最大漏源电压(Vds):650 V
  最大栅源电压(Vgs):±6 V
  导通电阻(Rds(on)):45 mΩ(典型值)
  连续漏极电流(Id):12 A
  开关频率:最高支持 5 MHz
  封装形式:TO-220 封装

特性

DMT3N4R2U224M3DTA0 拥有以下显著特性:
  1. 高效的氮化镓技术,提供比传统硅基 MOSFET 更高的功率密度和更低的能量损耗。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗。
  3. 支持高频操作,可减少无源元件的体积和数量,从而优化整体系统成本。
  4. 具备快速开关能力,适用于硬开关和软开关拓扑结构。
  5. 内置保护功能(如过温保护和短路保护),确保在各种工作条件下的稳定性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

该芯片主要应用于需要高效率和高频工作的场景中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 高效充电器和适配器设计,如快充设备。
  3. 电机驱动与逆变器电路。
  4. 太阳能微型逆变器及其他可再生能源相关产品。
  5. 数据中心服务器供电单元以及其他工业级电力管理系统。
  由于其卓越的性能,它非常适合用于追求紧凑型设计和高性能指标的应用场合。

替代型号

DMT3N650U224M3DTA0, DMT3N60R2U224M3DTA0

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DMT3N4R2U224M3DTA0参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列DMT
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 电容220 mF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定4.2 V
  • ESR(等效串联电阻)300 毫欧
  • 不同温度时使用寿命85°C 时为 1000 小时
  • 端接SMD(SMT)凸片
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-SMD,鸥翼
  • 引线间距-
  • 大小 / 尺寸0.827" 长 x 0.551" 宽(21.00mm x 14.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.087"(2.20mm)
  • 工作温度-40°C ~ 85°C