时间：2025/7/1 14:10:24
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FP31X103K102EEG是一款由富士通（Fujitsu）生产的高性能钽电容器，主要应用于需要稳定性和高可靠性的电路设计。该器件采用固态铝电解质技术，具有较低的等效串联电阻（ESR）和出色的频率特性，适用于电源滤波、去耦以及信号处理等场景。
这款钽电容器在设计时特别注重高频性能和温度稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容值，同时具备较长的使用寿命。其小型化设计也使其非常适合空间受限的应用环境。
型号：FP31X103K102EEG
电容值：10μF
额定电压：3.5V
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装形式： Chip
尺寸：3.2mm x 1.6mm
高度：1.9mm
等效串联电阻（ESR）：最大 40mΩ
漏电流：最大 0.5μA
FP31X103K103EEG采用了先进的固态钽技术，具备以下特点：
1. 高频特性优异，低ESR设计使得它在高频下的表现尤为突出。
2. 温度稳定性强，即使在极端温度条件下也能保持稳定的电容值。
3. 长寿命设计，适合长时间运行的设备。
4. 小型化封装，便于在紧凑型电子设备中使用。
5. 具备自愈能力，当出现故障时可自动恢复部分功能，从而提高整体可靠性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，无铅工艺生产。
FP31X103K102EEG广泛用于各类电子设备中的电源管理和信号处理领域，具体包括：
1. 手机和其他便携式电子设备中的电源滤波。
2. 微处理器及数字电路中的去耦电容。
3. 工业控制设备中的电源平滑。
4. 网络通信设备中的高频滤波。
5. 汽车电子系统中的噪声抑制。
6. 医疗设备中的关键电路保护。
由于其卓越的性能和可靠性，FP31X103K102EEG特别适合对稳定性和寿命要求较高的场合。
FP31X103K102EGG
FP31X103K102EFG
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