FP31X103K102EEG是一款由富士通(Fujitsu)生产的高性能钽电容器,主要应用于需要稳定性和高可靠性的电路设计。该器件采用固态铝电解质技术,具有较低的等效串联电阻(ESR)和出色的频率特性,适用于电源滤波、去耦以及信号处理等场景。
这款钽电容器在设计时特别注重高频性能和温度稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容值,同时具备较长的使用寿命。其小型化设计也使其非常适合空间受限的应用环境。
型号:FP31X103K102EEG
电容值:10μF
额定电压:3.5V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式: Chip
尺寸:3.2mm x 1.6mm
高度:1.9mm
等效串联电阻(ESR):最大 40mΩ
漏电流:最大 0.5μA
FP31X103K103EEG采用了先进的固态钽技术,具备以下特点:
1. 高频特性优异,低ESR设计使得它在高频下的表现尤为突出。
2. 温度稳定性强,即使在极端温度条件下也能保持稳定的电容值。
3. 长寿命设计,适合长时间运行的设备。
4. 小型化封装,便于在紧凑型电子设备中使用。
5. 具备自愈能力,当出现故障时可自动恢复部分功能,从而提高整体可靠性。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,无铅工艺生产。
FP31X103K102EEG广泛用于各类电子设备中的电源管理和信号处理领域,具体包括:
1. 手机和其他便携式电子设备中的电源滤波。
2. 微处理器及数字电路中的去耦电容。
3. 工业控制设备中的电源平滑。
4. 网络通信设备中的高频滤波。
5. 汽车电子系统中的噪声抑制。
6. 医疗设备中的关键电路保护。
由于其卓越的性能和可靠性,FP31X103K102EEG特别适合对稳定性和寿命要求较高的场合。
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