时间：2025/5/20 15:24:18
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DMT26M0LDG 是一款高性能的 N 沣道开关 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用逻辑电平驱动设计，能够以较低的栅极驱动电压实现高效的导通性能。该器件通常用于需要高效能和低功耗的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理电路。
这款 MOSFET 的封装形式为 DFN5x6-8L 封装，具有较小的占位面积和优秀的散热性能，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
栅极阈值电压：1.2V 至 2.2V
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（在 Vgs=10V 时）
导通电阻（Rds(on)）：2.4mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
总栅极电荷：29nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
DMT26M0LDG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 支持逻辑电平驱动，兼容 3.3V 和 5V 系统，简化了驱动电路设计。
3. 快速开关性能，适合高频应用场合。
4. 高额定漏极电流能力，确保在高负载条件下稳定运行。
5. 小型化封装（DFN5x6-8L），节省 PCB 空间。
6. 宽工作温度范围，适应各种环境条件下的使用需求。
DMT26M0LDG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 笔记本电脑和平板电脑中的负载开关。
3. 汽车电子系统中的电机驱动和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 手机和其他便携式设备的电池管理系统（BMS）。
