时间：2025/6/26 0:00:00
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IRFIBC40G是由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件主要设计用于高效率开关应用，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于工业、消费电子以及通信设备中的电源管理电路。
该MOSFET的工作电压为400V，能够承受较高的反向电压，同时具备快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻：3.7Ω
栅极电荷：8nC
开关时间：ton=59ns, toff=26ns
功耗：3W
工作结温范围：-55℃至+150℃
IRFIBC40G的主要特点是其高压性能与低导通电阻的结合，使它在高频开关应用中表现优异。此外，器件还具有以下特性：
1. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
2. 快速开关速度减少了开关过程中的能量损耗。
3. 较低的输入和输出电容值，进一步提高了开关效率。
4. TO-263封装提供了良好的散热性能，适合紧凑型设计需求。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
IRFIBC40G广泛应用于各种需要高压控制的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和逆变器电路。
3. 脉宽调制(PWM)控制器中的开关元件。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. LED驱动器及家电控制模块。
由于其高耐压和快速开关能力，该器件非常适合于要求高效能和稳定性的工业环境。
IRFBC40D, IRFPC40N
