DMT10H025SSS-13是一款由Diodes公司生产的双极性晶体管(BJT),具有NPN结构,适用于高频率和高功率的应用。这款晶体管采用SOT-23封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适合在各种电子设备中使用。
晶体管类型:NPN双极性晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):25V
集电极电流(IC):100mA
功耗(PD):300mW
过渡频率(fT):100MHz
增益带宽积(GBP):100MHz
封装类型:SOT-23
DMT10H025SSS-13具有优异的高频性能,适用于射频(RF)放大和开关应用。其高增益特性使得在低电压环境下仍能保持稳定的放大效果。此外,该晶体管具有较低的饱和压降,有助于提高能效并减少热量产生。
该器件的封装设计使其易于集成到紧凑的电路板中,并且具有良好的散热性能。SOT-23封装还提供了优良的机械稳定性和环境适应性,适合在工业和消费类电子产品中使用。
DMT10H025SSS-13的高可靠性和长寿命使其成为许多高性能电子设备的理想选择。其制造工艺遵循严格的质量标准,确保在各种工作条件下都能保持稳定的性能。
该晶体管广泛应用于射频放大器、音频放大器、开关电路、电源管理模块以及各种便携式电子设备。在通信设备中,DMT10H025SSS-13可用于信号放大和调制解调电路,确保信号传输的稳定性和可靠性。此外,它还可用于传感器电路和微处理器接口电路,提供高效的信号处理能力。
BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904