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DMT10H025SSS-13 发布时间 时间:2025/8/2 9:55:04 查看 阅读:38

DMT10H025SSS-13是一款由Diodes公司生产的双极性晶体管(BJT),具有NPN结构,适用于高频率和高功率的应用。这款晶体管采用SOT-23封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适合在各种电子设备中使用。

参数

晶体管类型:NPN双极性晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):25V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):300mW
  过渡频率(fT):100MHz
  增益带宽积(GBP):100MHz
  封装类型:SOT-23

特性

DMT10H025SSS-13具有优异的高频性能,适用于射频(RF)放大和开关应用。其高增益特性使得在低电压环境下仍能保持稳定的放大效果。此外,该晶体管具有较低的饱和压降,有助于提高能效并减少热量产生。
  该器件的封装设计使其易于集成到紧凑的电路板中,并且具有良好的散热性能。SOT-23封装还提供了优良的机械稳定性和环境适应性,适合在工业和消费类电子产品中使用。
  DMT10H025SSS-13的高可靠性和长寿命使其成为许多高性能电子设备的理想选择。其制造工艺遵循严格的质量标准,确保在各种工作条件下都能保持稳定的性能。

应用

该晶体管广泛应用于射频放大器、音频放大器、开关电路、电源管理模块以及各种便携式电子设备。在通信设备中,DMT10H025SSS-13可用于信号放大和调制解调电路,确保信号传输的稳定性和可靠性。此外,它还可用于传感器电路和微处理器接口电路,提供高效的信号处理能力。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904

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DMT10H025SSS-13参数

  • 现有数量1,938现货
  • 价格1 : ¥5.09000剪切带(CT)2,500 : ¥1.97050卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)23 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)21.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1544 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SO
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)