时间：2025/8/2 7:28:14
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DMT10H015LSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏极-源极电压（VDS）：100V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：15mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
DMT10H015LSS-13具有多项优异的电气和物理特性，使其成为高性能功率电子设计中的理想选择。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为15mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。这种特性对于高电流应用尤为重要，因为导通损耗与RDS(on)成正比。
其次，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，使得器件在保持低RDS(on)的同时，还具备出色的开关性能。这种技术有助于减少开关损耗，从而在高频应用中实现更高的效率。
此外，DMT10H015LSS-13的最大漏极电流为10A，最大漏极-源极电压为100V，使其能够承受较高的功率负载，适用于各种中高功率电源管理场景。其栅极-源极电压范围为±20V，具备良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制器或驱动器配合使用。
该器件采用PowerPAK SO-8封装，具有优异的热性能和空间效率，适合在紧凑型设计中使用。封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
DMT10H015LSS-13的工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的环境适应性和可靠性，适用于工业和汽车等对温度要求较高的应用场景。
DMT10H015LSS-13广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制器。在DC-DC转换器中，该MOSFET的低导通电阻和高开关速度有助于提高转换效率，降低功耗。在负载开关应用中，其高电流承载能力和快速响应特性能够有效保护系统免受过载和短路的影响。此外，DMT10H015LSS-13还可用于电池管理系统、电源管理和配电系统，以及工业自动化和汽车电子设备中的功率控制模块。
Si4410BDY, FDS4410A, DMT10H015SS
