时间：2025/8/25 1:44:31
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BE025PG是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET设计用于在高电流和高频率条件下提供卓越的性能，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等多种应用。BE025PG采用了先进的沟槽栅极技术，以实现更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：100A
最大漏极-源极电压（Vds）：30V
最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值）
封装类型：PowerPAK SO-8
BE025PG的主要特性包括低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著减少功率损耗并提高效率。
其先进的沟槽栅极技术不仅降低了Rds(on)，还优化了开关性能，使其适用于高频操作。
此外，该器件具有较高的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
PowerPAK SO-8封装设计不仅提供了良好的散热性能，还节省了PCB空间，非常适合紧凑型设计。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持灵活的电路设计，并且具备较强的抗静电能力，从而提高了整体系统的可靠性。
BE025PG通常用于高性能电源管理应用，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器以及电池管理系统等。
由于其低导通电阻和高效能特性，它也常用于电动工具、无人机、工业自动化设备和高功率LED照明系统中。
此外，该MOSFET在汽车电子系统中也有广泛应用，例如车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高可靠性和高效率的汽车电源管理场景。
SiR142DP-T1-GE3, FDS4410A, IRF6718PBF
