时间：2025/10/31 17:13:18
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DMT10H015LFG-7是一款由Diodes Incorporated生产的高性能P沟道MOSFET，采用先进的沟槽型技术制造，专为高效率和高可靠性应用设计。该器件封装在小型化的PowerDI5060-6L封装中，适合对空间要求较高的便携式电子设备和高密度电路板布局。其主要优势在于低导通电阻、良好的热性能以及优异的开关特性，使其适用于负载开关、电源管理、电池供电系统等场合。
这款MOSFET的工作电压范围覆盖了常见的负极性电源轨应用需求，具有出色的栅极耐压能力，并且符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于现代绿色电子产品制造。由于其优化的封装设计，DMT10H015LFG-7能够在有限的空间内实现高效的散热管理，从而提升整体系统的稳定性和寿命。此外，该器件还具备较强的抗瞬态电流冲击能力，增强了在严苛工作环境下的可靠性。
型号：DMT10H015LFG-7
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：-20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-10A（@Vgs = -4.5V）
脉冲漏极电流（Idm）：-30A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（@Vgs = -4.5V）
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（@Vgs = -2.5V）
阈值电压（Vgs(th)）：-0.8V ~ -1.5V
输入电容（Ciss）：2290pF（@Vds = 10V）
反向传输电容（Crss）：50pF（@Vds = 10V）
输出电容（Coss）：580pF（@Vds = 10V）
开启延迟时间（td(on)）：8ns
关断延迟时间（td(off)）：17ns
上升时间（tr）：22ns
下降时间（tf）：12ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerDI5060-6L
DMT10H015LFG-7采用了先进的沟槽式场效应晶体管工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其1.5mΩ的超低Rds(on)显著降低了在大电流条件下的功率损耗，提升了系统能效，特别适用于电池供电设备中需要高效能量转换的应用场景。器件在Vgs = -4.5V和-2.5V下均表现出稳定的导通特性，表明其在宽栅压范围内均可有效工作，兼容多种逻辑电平驱动电路，包括3.3V或更低电压的微控制器输出直接驱动。
该MOSFET具备良好的热稳定性，得益于PowerDI5060-6L封装的优化设计，其热阻（Rth(jc)）较低，能够快速将芯片内部热量传导至PCB，避免局部过热导致性能下降或失效。同时，这种表面贴装封装形式便于自动化贴片生产，提高组装效率并降低制造成本。器件还具备较强的抗雪崩能力和抗静电放电（ESD）能力，增强了在复杂电磁环境中的鲁棒性。
此外，DMT10H015LFG-7的电容参数经过优化，输入电容和反向传输电容较小，有助于减少开关过程中的驱动损耗和米勒效应引起的误触发风险，从而提升高频开关应用中的可靠性。其快速的开启和关断响应时间使其适用于DC-DC转换器、同步整流、热插拔控制器等多种高速开关场景。综合来看，该器件在性能、尺寸、可靠性和成本之间达到了良好平衡，是现代高集成度电源系统中的理想选择之一。
DMT10H015LFG-7广泛应用于各类需要高效率P沟道功率开关的场合。典型应用场景包括移动设备中的电源路径管理、笔记本电脑和平板电脑的电池充放电控制、USB供电及充电管理电路、便携式医疗仪器、工业手持设备以及各类消费类电子产品中的负载开关模块。由于其支持大电流和低导通电阻，常用于替代机械继电器或作为高端开关元件，在电源多路复用、热插拔保护和冗余电源切换等系统中发挥关键作用。
在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可作为同步整流管使用，有效降低传导损耗，提高整体转换效率。此外，它也适用于电机驱动电路中的H桥结构上臂开关，尤其在低电压、高电流输出的应用中表现优异。由于其良好的瞬态响应能力，还可用于音频放大器的电源开关或精密模拟前端的电源隔离控制。在汽车电子领域，尽管其额定电压限制在-20V，但仍可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等低压子系统中的电源管理单元。总之，凡是对空间、效率和可靠性有较高要求的P沟道MOSFET应用场景，DMT10H015LFG-7都是一个极具竞争力的选择。
DMG10H015LFG-7
SQ2210ES-T1_GE3
FDML86190
