时间：2025/8/2 4:48:57
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DMT10H009SSS-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理系统。该器件采用先进的沟槽技术，提供了卓越的性能和可靠性。DMT10H009SSS-13 的设计使其能够在低电压条件下工作，适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备和其他需要高效率功率控制的应用场景。该 MOSFET 采用 SOT26 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-10A
导通电阻（Rds(on)）：9mΩ @ Vgs = -4.5V，15mΩ @ Vgs = -2.5V
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT26
DMT10H009SSS-13 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，采用了先进的沟槽技术，实现了低导通电阻和优异的开关性能。该器件的导通电阻仅为 9mΩ（在 Vgs = -4.5V 时），有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该 MOSFET 在较低的栅极电压下仍能保持良好的性能，例如在 Vgs = -2.5V 时，导通电阻仅为 15mΩ，这使其适用于低电压电源管理系统。DMT10H009SSS-13 的最大漏源电压为 -20V，最大连续漏极电流为 -10A，能够满足大多数中等功率应用的需求。该器件的功率耗散为 2.5W，能够在较高温度环境下稳定工作。由于其 SOT26 小型封装，该 MOSFET 非常适合用于空间受限的设计，如便携式电子设备和高密度 PCB 布局。此外，该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
DMT10H009SSS-13 广泛应用于多种电源管理系统，特别是在需要高效率和紧凑设计的场景中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理单元（PMU）、LED 驱动电路以及便携式电子设备中的功率控制部分。由于其低导通电阻和良好的开关性能，该 MOSFET 可用于提高电源转换效率，减少热量产生，延长设备的使用寿命。在电池供电设备中，DMT10H009SSS-13 能够有效降低功耗，从而延长电池续航时间。此外，该器件还可用于电机驱动、继电器替代电路和高侧开关等应用场景。
Si4435BDY, FDC6303, DMN6010SSS, AO4406A
