时间：2025/8/2 6:12:02
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DMPH6050SSDQ-13 是一款由 Diodes 公司（安森美半导体旗下品牌）制造的功率 MOSFET 晶体管，适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和良好的热性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：@4.5V=5.5mΩ（最大）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：PowerPAK SO-8 双散热焊盘
DMPH6050SSDQ-13 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET，其采用先进的沟槽式结构技术，能够在较低的栅极电压下实现极低的导通电阻。该器件的 Rds(on) 最大值为 5.5mΩ，在 4.5V 的栅极驱动电压下即可实现优异的导通性能，从而降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该 MOSFET 支持高达 50A 的连续漏极电流，并具备良好的热稳定性，得益于其 PowerPAK SO-8 封装结构，双散热焊盘设计可有效降低热阻，提升散热效率。这种封装形式也使其非常适合用于空间受限的高密度 PCB 设计。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的 4.5V~12V 驱动电路，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等多种功率应用。其高耐压特性（60V Vds）也使其能够在中等电压条件下稳定工作，具有良好的抗电压尖峰能力。
整体而言，DMPH6050SSDQ-13 是一款适用于高性能功率转换系统的理想选择，尤其适合要求高效率、低导通损耗和紧凑布局的设计需求。
DMPH6050SSDQ-13 主要用于各种电源管理与功率转换系统中，包括但不限于同步整流器、降压/升压型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电源模块、电源适配器以及各类高电流开关应用。
在同步整流器中，该器件能够显著降低导通损耗，提高整体转换效率。在 DC-DC 转换器中，其低 Rds(on) 和高电流能力可有效减少发热，提升系统稳定性。在负载开关设计中，它能够实现快速开关响应并减少压降。在电机控制和电池管理系统中，其高耐压和低导通电阻特性也使其成为理想的功率开关器件。
由于其封装形式紧凑且热性能优异，DMPH6050SSDQ-13 也广泛应用于空间受限但功率密度要求较高的服务器电源、工业自动化设备、通信电源以及便携式电源系统中。
SiS6200DN-T1-GE3, Nexperia PSMN5R0-60LD, Infineon BSC050N06NS5
