DMPH6050SSD是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制程技术,具有低导通电阻和快速开关性能,适合需要高效能功率转换的应用。其封装形式为SOT-23,是一种小型化、高效的表面贴装器件,非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻(典型值):90mΩ
总功耗:570mW
结温范围:-55℃至+150℃
封装类型:SOT-23
DMPH6050SSD具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,适用于高频应用场合。
3. 小型化SOT-23封装设计,节省PCB板空间。
4. 高可靠性,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 支持高电流操作,适合大功率负载控制。
6. 热稳定性好,确保在高温环境下长期使用。
该MOSFET适用于多种电子电路,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 便携式电子产品中的电源管理模块。
4. 小型电机驱动电路。
5. LED照明驱动电路。
6. 数据通信设备中的信号切换。
DMPH6050SSD凭借其优异的电气性能和紧凑的封装,成为众多低压、高效率应用场景的理想选择。
DMP2071UFG,DMP2072UFG,DMN2020UFQ