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DMPH6050SSD 发布时间 时间:2025/5/26 16:28:05 查看 阅读:11

DMPH6050SSD是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制程技术,具有低导通电阻和快速开关性能,适合需要高效能功率转换的应用。其封装形式为SOT-23,是一种小型化、高效的表面贴装器件,非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻(典型值):90mΩ
  总功耗:570mW
  结温范围:-55℃至+150℃
  封装类型:SOT-23

特性

DMPH6050SSD具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用场合。
  3. 小型化SOT-23封装设计,节省PCB板空间。
  4. 高可靠性,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
  5. 支持高电流操作,适合大功率负载控制。
  6. 热稳定性好,确保在高温环境下长期使用。

应用

该MOSFET适用于多种电子电路,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电池供电设备中的负载开关。
  3. 便携式电子产品中的电源管理模块。
  4. 小型电机驱动电路。
  5. LED照明驱动电路。
  6. 数据通信设备中的信号切换。
  DMPH6050SSD凭借其优异的电气性能和紧凑的封装,成为众多低压、高效率应用场景的理想选择。

替代型号

DMP2071UFG,DMP2072UFG,DMN2020UFQ

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