类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　封装形式：SOD-123
　　标称齐纳电压：22V
　　最大耗散功率：300mW
　　最大齐纳电流：100mA
　　最大反向漏电流（VR）：100nA（@ 10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

LBZT52MB22T1G 齐纳二极管具有多项优异的电气和物理特性，使其在各类电子系统中表现出色。首先，其标称齐纳电压为22V，能够提供稳定的电压参考，适用于需要较高稳压电压的电路设计。该器件的动态阻抗较低，有助于减小负载变化对输出电压的影响，从而提高系统的稳定性。
　　其次，LBZT52MB22T1G 采用SOD-123封装，体积小巧，适合在空间受限的PCB布局中使用。其表面贴装封装也便于自动化生产和焊接工艺，提高生产效率和可靠性。
　　此外，该器件的最大耗散功率为300mW，最大齐纳电流可达100mA，具备较强的功率承受能力，适用于中等功率的稳压和保护电路。其反向漏电流在10V电压下仅为100nA，表明其在非导通状态下的漏电流非常小，有助于降低电路的静态功耗。
　　工作温度范围为-55°C至+150°C，表明LBZT52MB22T1G具有良好的热稳定性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。存储温度范围为-65°C至+150°C，进一步增强了其在各种应用环境中的可靠性。
　　总体而言，LBZT52MB22T1G 是一款性能稳定、可靠性高、适用范围广的齐纳二极管，广泛用于电源管理、模拟电路参考源、过压保护等场合。

LBZT52MB22T1G 主要应用于需要稳定电压参考的电子设备中。例如，在电源管理电路中，它可以用作电压调节器，确保输出电压稳定在22V左右，适用于各类DC-DC转换器、线性稳压器和电池管理系统。此外，该器件也可用于模拟电路中的基准电压源，为运算放大器、比较器等提供精确的参考电平。
　　在过压保护电路中，LBZT52MB22T1G 可作为钳位二极管使用，防止电路中的瞬态高压损坏敏感元件。其低动态阻抗和快速响应时间使其在保护电路中表现出色，特别是在工业控制、通信设备和汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
　　由于其SOD-123封装的小型化特性，LBZT52MB22T1G 也非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。这些设备对空间和功耗有严格要求，而该器件正好满足这些需求。
　　除此之外，LBZT52MB22T1G 还可应用于测试与测量设备、传感器接口电路、LED驱动电路、工业自动化系统和消费类电子产品的电压稳定与参考源设计中。

MMBZ5241BLT1G, BZT52C22RH, 1N4749A, ZMM22