时间：2025/6/5 12:38:35
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DMPH6050SFGQ-7 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 QFN 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其设计能够提供高效的电流传输能力和出色的热性能。
这款 MOSFET 的额定电压为 60V，能够在高频条件下实现高效的功率转换，同时保持较低的功耗。其封装设计有助于简化 PCB 布局并提高散热效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极电荷：138nC
输入电容：3420pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装类型：QFN
DMPH6050SFGQ-7 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，支持高频操作。
4. 良好的热性能，能够有效管理功率损耗带来的热量。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 提供出色的可靠性和耐用性，适应各种恶劣的工作环境。
7. 小尺寸封装，节省 PCB 空间。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统 (BMS)。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. LED 驱动器和汽车电子应用。
6. 通信设备中的功率级应用。
DMPH6050SFGQ-7 凭借其高效能和可靠性，成为众多功率密集型应用的理想选择。
DMPH6050SFQ-7, IRF6744PBF, FDP8740
