时间：2025/9/2 7:43:30
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H26M31001EFRR是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的存储器模块，广泛应用于嵌入式系统、消费电子和工业设备中。这款芯片通常被归类为Flash存储器，具备高性能和可靠的存储能力，适合需要大容量数据存储和快速访问的应用场景。
类型：Flash存储器
容量：1GB
接口：Parallel NAND
电压：3.3V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装：TSOP
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
H26M31001EFRR具有高性能和高可靠性，适用于多种应用场景。其NAND Flash架构允许在相对较小的物理空间中实现大容量存储。这款存储器模块采用了TSOP封装，有助于提高散热性能和机械稳定性。此外，它支持宽温度范围工作，适用于工业级环境。该芯片的并行NAND接口提供了较高的数据传输速度，适合需要快速读写的设备应用。
H26M31001EFRR的擦写寿命通常在数万次以上，数据保持时间可达10年以上，这使得它成为长期存储解决方案的理想选择。同时，该芯片具备良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。对于嵌入式系统来说，这种存储器模块可以提供稳定的存储支持，满足系统对可靠性和性能的双重要求。
H26M31001EFRR广泛应用于嵌入式系统、消费电子产品（如数字电视、机顶盒）、工业控制设备、网络设备以及存储扩展模块等。由于其高性能和高可靠性，它也常被用于需要大容量存储和快速数据访问的便携式设备。
H27U1G8F5BCTR、H27U1G8FBCR、H27UC1G8FAMPR
