时间：2025/8/2 5:30:18
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DMPH4015SSSQ-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用高性能硅技术制造，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能。DMPH4015SSSQ-13采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，适用于紧凑型电子设备和便携式电子产品。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4A
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS = -4.5V，55mΩ @ VGS = -2.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
DMPH4015SSSQ-13具备多项优异特性，适用于高效率电源管理系统。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件在VGS = -4.5V时的导通电阻为30mΩ，在VGS = -2.5V时为55mΩ，表现出良好的栅极电压适应性，适合多种驱动条件。漏源电压额定值为-20V，连续漏极电流能力为-4A，能够满足中低功率应用的需求。
该MOSFET的封装形式为TSOP，具有较小的封装尺寸，便于在高密度PCB布局中使用。此外，其最大功率耗散为1.4W，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。DMPH4015SSSQ-13的工作温度范围为-55°C至150°C，确保在极端温度条件下仍能保持稳定运行。
DMPH4015SSSQ-13主要应用于电源管理系统、负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备以及各类便携式电子产品中。其低导通电阻和高效率特性使其成为电源管理模块中的理想选择。该器件也可用于电机控制、LED驱动和电源分配系统等场景。
Si2301DS, FDN340P, AO4403, NTR1P02X
