时间：2025/6/25 15:12:37
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DMPH4015SK3-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用SO-8封装，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动以及负载开关等场景。
该型号的设计使其在高频应用中表现出优异的性能，同时具备良好的热稳定性和耐用性，能够满足多种工业和消费类电子产品的严格要求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻：40mΩ
总栅极电荷：10nC
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：SO-8
DMPH4015SK3-13的主要特点是其低导通电阻，这使得它在功率转换过程中产生的热量较少，从而提高了整体系统效率。
此外，这款MOSFET还具有快速开关速度和较低的栅极电荷，这对于需要高效能和低损耗的应用尤为重要。
其较高的工作温度范围也确保了器件在极端环境下的可靠运行，适用于恶劣条件下的电子设备。
由于采用了标准的SO-8封装，该器件易于集成到现有的电路设计中，并且具有良好的散热性能。
DMPH4015SK3-13非常适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动、电池保护电路和电源管理模块。
它在笔记本电脑适配器、智能手机充电器和其他便携式电子设备中的表现尤为突出。
此外，该器件还可用于工业自动化控制、家用电器以及LED照明驱动等领域，提供高效的功率管理和可靠的性能保障。
DMP2009UFG-13
DMP2008UFG-13
IRLZ44N
