时间：2025/5/22 0:03:09
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DMPH4013SK3-13 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小尺寸 SOT23-3 封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于多种功率转换和负载开关应用。其出色的性能使其成为便携式设备、消费类电子产品以及工业应用中的理想选择。
该器件的工作电压范围较宽，能够承受较高的漏源电压，同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗。此外，它还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高频率条件下高效运行。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻：0.6Ω
总功耗：430mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMPH4013SK3-13 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小型化封装设计，节省电路板空间。
4. 高浪涌能力和稳定性，确保在复杂电路中可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 提供了较高的电气强度和抗静电能力，增强了整体耐用性。
DMPH4013SK3-13 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
3. LED 照明驱动电路中的调节元件。
4. 计算机外设和消费类电子产品的保护电路。
5. 工业控制与自动化系统中的信号处理模块。
6. 数据通信设备中的电平转换和隔离电路。
DMP2047UFG-13, DMTH4013SFG-13
