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DMP6110SVT-7 发布时间 时间:2025/7/11 21:11:15 查看 阅读:14

DMP6110SVT-7 是一款由 Diodes 公司生产的功率 MOSFET,采用小尺寸的 SO-8 封装形式。这款器件适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用场合。其主要特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关速度,能够显著提高效率并降低功耗。
  该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,具有较高的电流承载能力和出色的热性能表现,使其非常适合在高密度设计中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:13A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:14nC
  开关速度:快速
  封装形式:SO-8
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

DMP6110SVT-7 提供了非常低的导通电阻(2.5mΩ),这有助于减少传导损耗,尤其适合大电流应用场景。此外,它还拥有较小的栅极电荷,可以实现更快的开关速度,从而提升系统效率并降低开关损耗。
  由于采用了先进的制造工艺,该器件具备良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。同时,其坚固的封装设计能够有效保护内部结构免受外部环境的影响,提高了整体可靠性。
  该器件还支持较宽的工作温度范围,从 -55℃ 到 +150℃,这使得它能够在极端条件下正常运行。

应用

DMP6110SVT-7 广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。常见的应用包括但不限于以下几种:
  1. 开关电源中的同步整流电路
  2. DC-DC 转换器的核心功率开关
  3. 电池管理系统中的负载开关
  4. 电机驱动中的功率级控制
  5. 各种需要高效功率转换的场景
  凭借其高性能和可靠性,DMP6110SVT-7 成为了许多工程师在设计高效率功率系统时的理想选择。

替代型号

DMP6006UFG-7
  DMP6010UFG-7
  DMP6009UFG-7

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DMP6110SVT-7参数

  • 现有数量39,001现货
  • 价格1 : ¥5.01000剪切带(CT)3,000 : ¥1.76610卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)105 毫欧 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)969 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TSOT-23-6
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6