DMP6110SVT-7 是一款由 Diodes 公司生产的功率 MOSFET,采用小尺寸的 SO-8 封装形式。这款器件适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用场合。其主要特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关速度,能够显著提高效率并降低功耗。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,具有较高的电流承载能力和出色的热性能表现,使其非常适合在高密度设计中使用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:13A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:14nC
开关速度:快速
封装形式:SO-8
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
DMP6110SVT-7 提供了非常低的导通电阻(2.5mΩ),这有助于减少传导损耗,尤其适合大电流应用场景。此外,它还拥有较小的栅极电荷,可以实现更快的开关速度,从而提升系统效率并降低开关损耗。
由于采用了先进的制造工艺,该器件具备良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。同时,其坚固的封装设计能够有效保护内部结构免受外部环境的影响,提高了整体可靠性。
该器件还支持较宽的工作温度范围,从 -55℃ 到 +150℃,这使得它能够在极端条件下正常运行。
DMP6110SVT-7 广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。常见的应用包括但不限于以下几种:
1. 开关电源中的同步整流电路
2. DC-DC 转换器的核心功率开关
3. 电池管理系统中的负载开关
4. 电机驱动中的功率级控制
5. 各种需要高效功率转换的场景
凭借其高性能和可靠性,DMP6110SVT-7 成为了许多工程师在设计高效率功率系统时的理想选择。
DMP6006UFG-7
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