您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NDS355AN-F169

NDS355AN-F169 发布时间 时间:2025/6/5 12:27:21 查看 阅读:11

NDS355AN-F169是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用TO-252封装形式。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。NDS355AN-F169具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。此外,它还具备出色的热稳定性和可靠性,非常适合需要高能效和小尺寸解决方案的应用场景。
  该型号属于增强型N沟道场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极电流的大小,适用于多种电子电路设计中的开关和功率管理功能。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:8.7A
  导通电阻(典型值):0.042Ω
  栅极电荷:10nC
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 极低的导通电阻使得NDS355AN-F169在大电流应用中表现出优异的效率。
  2. 快速开关速度减少开关损耗,适合高频操作环境。
  3. 小型TO-252封装节省PCB空间,便于小型化设计。
  4. 高度可靠的设计确保长期使用中的稳定性。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应各种恶劣环境下的应用需求。
  6. 具备ESD保护功能以提高抗干扰能力。

应用

1. 开关电源(SMPS)及适配器设计。
  2. DC-DC转换器和逆变器中的功率开关。
  3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  4. 电机驱动和控制系统中的功率级元件。
  5. 各种工业自动化设备中的功率调节模块。
  6. 消费类电子产品中的电源管理和充电电路。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  AO3400

NDS355AN-F169推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NDS355AN-F169参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)85 毫欧 @ 1.9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)195 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3