NDS355AN-F169是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用TO-252封装形式。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。NDS355AN-F169具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。此外,它还具备出色的热稳定性和可靠性,非常适合需要高能效和小尺寸解决方案的应用场景。
该型号属于增强型N沟道场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极电流的大小,适用于多种电子电路设计中的开关和功率管理功能。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:8.7A
导通电阻(典型值):0.042Ω
栅极电荷:10nC
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻使得NDS355AN-F169在大电流应用中表现出优异的效率。
2. 快速开关速度减少开关损耗,适合高频操作环境。
3. 小型TO-252封装节省PCB空间,便于小型化设计。
4. 高度可靠的设计确保长期使用中的稳定性。
5. 支持宽范围的工作温度,适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 具备ESD保护功能以提高抗干扰能力。
1. 开关电源(SMPS)及适配器设计。
2. DC-DC转换器和逆变器中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 电机驱动和控制系统中的功率级元件。
5. 各种工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 消费类电子产品中的电源管理和充电电路。
IRFZ44N
FDP5500
AO3400