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DMP4051LK3-13 发布时间 时间:2025/6/3 9:00:32 查看 阅读:5

DMP4051LK3-13 是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件通常用于需要高效率开关和低导通电阻的应用中,其出色的电气特性和可靠性使其在电源管理、电机驱动和其他功率转换电路中具有广泛的应用价值。
  该MOSFET采用小型化封装设计,能够有效降低寄生电感和热阻,从而提升整体性能。它具备较低的导通电阻以及较高的电流处理能力,适用于高频开关场合。

参数

型号:DMP4051LK3-13
  封装:SOT-23
  VDS(漏源极击穿电压):30V
  RDS(on)(导通电阻,在典型条件下的值):65mΩ
  ID(连续漏极电流):2.9A
  fT(截止频率):275MHz
  栅极电荷(Qg):4nC
  VGS(th)(栅源开启电压):1.2V~2.8V
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

DMP4051LK3-13 具有以下主要特性:
  1. 超低导通电阻RDS(on),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 小型化的SOT-23封装形式,节省PCB板空间。
  4. 较宽的工作温度范围,适应多种恶劣环境需求。
  5. 提供优秀的电气稳定性和可靠性,延长产品寿命。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺生产。

应用

DMP4051LK3-13 常见的应用领域包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 各类便携式电子设备的负载开关。
  4. 电池保护电路及充电管理。
  5. 电机驱动与控制电路。
  6. 照明系统的调光控制以及其他通用功率管理场景。

替代型号

DMP4051LK3-13Q
  DMP4051LKT3
  Si4432DY

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DMP4051LK3-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C51 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds674pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.14W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP4051LK3-13DITR