DMP4051LK3-13 是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件通常用于需要高效率开关和低导通电阻的应用中,其出色的电气特性和可靠性使其在电源管理、电机驱动和其他功率转换电路中具有广泛的应用价值。
该MOSFET采用小型化封装设计,能够有效降低寄生电感和热阻,从而提升整体性能。它具备较低的导通电阻以及较高的电流处理能力,适用于高频开关场合。
型号:DMP4051LK3-13
封装:SOT-23
VDS(漏源极击穿电压):30V
RDS(on)(导通电阻,在典型条件下的值):65mΩ
ID(连续漏极电流):2.9A
fT(截止频率):275MHz
栅极电荷(Qg):4nC
VGS(th)(栅源开启电压):1.2V~2.8V
工作温度范围:-55℃~150℃
DMP4051LK3-13 具有以下主要特性:
1. 超低导通电阻RDS(on),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用。
3. 小型化的SOT-23封装形式,节省PCB板空间。
4. 较宽的工作温度范围,适应多种恶劣环境需求。
5. 提供优秀的电气稳定性和可靠性,延长产品寿命。
6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺生产。
DMP4051LK3-13 常见的应用领域包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 各类便携式电子设备的负载开关。
4. 电池保护电路及充电管理。
5. 电机驱动与控制电路。
6. 照明系统的调光控制以及其他通用功率管理场景。
DMP4051LK3-13Q
DMP4051LKT3
Si4432DY