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DMP4050SSD-13 发布时间 时间:2025/8/2 8:07:24 查看 阅读:29

DMP4050SSD-13 是一款由 Diodes 公司制造的 P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该器件设计用于高边开关、负载开关和 DC-DC 转换器等应用。其采用小型 SOT26 表面贴装封装,适合空间受限的高密度电路设计。该 MOSFET 提供较低的导通电阻和高可靠性,适用于便携式电子设备、电源管理和电池供电系统。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  漏源电压 (Vds):-30V
  栅源电压 (Vgs):±20V
  连续漏极电流 (Id):-4.9A
  导通电阻 (Rds(on)):75mΩ @ Vgs = -10V,110mΩ @ Vgs = -4.5V
  功率耗散:1.5W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT26

特性

DMP4050SSD-13 具备低导通电阻,能够在高负载条件下保持较低的功率损耗,从而提升整体系统效率。其 P 沟道结构适用于高边开关应用,无需复杂的驱动电路即可实现负载控制。该器件的 SOT26 封装不仅节省空间,而且便于自动化装配,适用于现代高密度 PCB 设计。
  此外,该 MOSFET 的栅极氧化层具有高击穿电压耐受能力,可承受高达 ±20V 的栅源电压,增强了器件在瞬态条件下的可靠性。其热阻较低,有助于在高电流工作条件下维持稳定的温度表现,延长器件寿命。
  该器件的封装材料符合 RoHS 标准,并支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环保法规的要求。同时,其内部结构优化设计,降低了寄生电容,提高了开关速度,使其适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和同步整流器。

应用

DMP4050SSD-13 主要用于电源管理系统、电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关、高边开关和便携式电子设备。其低导通电阻和小型封装使其非常适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、移动电源以及工业控制设备中的电源切换和管理电路。
  在 DC-DC 转换器中,该器件可用于同步整流或高边开关,提高转换效率并减少发热。在电池管理系统中,它可以作为充放电路径的控制开关,确保系统安全运行。此外,该 MOSFET 还可用于电机驱动、LED 驱动以及各类低电压高电流应用中。

替代型号

Si4435BDY, FDC640P, IRML6401, DMG2305UX-7

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DMP4050SSD-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds674pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP4050SSD-13TR