DMP4047SK3-13 是一款基于硅工艺制造的高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效率、低损耗的电源管理应用。其封装形式为 SOT223,具备良好的散热性能。
该 MOSFET 广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等场景。其设计旨在满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:7.9A
导通电阻:13mΩ
栅极电荷:18nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:SOT223
DMP4047SK3-13 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用。
3. 高浪涌电流能力,增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
4. 小型封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
5. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
该 MOSFET 的典型应用场景包括:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 便携式电子设备中的负载开关。
3. 工业控制领域中的电机驱动电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
5. 各类 DC-DC 转换器设计。
DMP4047SK3-13 的高性能使其成为许多高效能要求场景的理想选择。
DMP4047SK3Q-13, IRF7404, FDP5500