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DMP4047SK3-13 发布时间 时间:2025/6/23 22:19:03 查看 阅读:4

DMP4047SK3-13 是一款基于硅工艺制造的高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效率、低损耗的电源管理应用。其封装形式为 SOT223,具备良好的散热性能。
  该 MOSFET 广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等场景。其设计旨在满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:7.9A
  导通电阻:13mΩ
  栅极电荷:18nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT223

特性

DMP4047SK3-13 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 高浪涌电流能力,增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
  4. 小型封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
  5. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

该 MOSFET 的典型应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 便携式电子设备中的负载开关。
  3. 工业控制领域中的电机驱动电路。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  5. 各类 DC-DC 转换器设计。
  DMP4047SK3-13 的高性能使其成为许多高效能要求场景的理想选择。

替代型号

DMP4047SK3Q-13, IRF7404, FDP5500

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DMP4047SK3-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥4.93000剪切带(CT)2,500 : ¥1.90632卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)45 毫欧 @ 4.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)23.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1328 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.6W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63