时间：2025/4/30 19:38:02
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DMP4047LFDE 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、快速开关特性和高效率等优势。其封装形式为 LFDE，适用于各种功率转换和开关应用场合。
该 MOSFET 通常被用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域，可有效降低系统的能耗并提升整体性能。
最大漏最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：-62A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：38nC
开关时间：开通延迟时间 18ns，关断下降时间 12ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
DMP4047LFDE 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，能够满足大功率应用的需求。
3. 快速开关速度，适合高频操作场景。
4. 良好的热稳定性，确保在宽温度范围内可靠运行。
5. 小型化封装设计，节省电路板空间。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
DMP4047LFDE 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电机驱动和负载切换。
3. 电池保护和充电管理。
4. 电信设备中的电源管理模块。
5. 工业自动化系统中的功率控制部分。
6. 各种需要高效功率开关的消费类电子产品。
DMP4047LFE, DMP4047NHE, IRFZ44N
