时间：2025/6/22 5:06:55
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DMP4015SSSQ-13 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，由 Diodes 公司生产。该器件采用 QFN 封装，具有卓越的开关性能和效率，专为高频、高功率密度应用设计，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及通信系统中的功率放大器。
相比传统硅基 MOSFET，DMP4015SSSQ-13 提供更低的导通电阻和更高的工作频率，能够显著提升系统的整体效率和功率密度。
型号：DMP4015SSSQ-13
封装：QFN
额定电压：650V
额定电流：2.8A
导通电阻：70mΩ（最大值）
栅极电荷：9nC（典型值）
输入电容：1450pF
漏源击穿电压：650V（最小值）
结温范围：-55°C 至 +175°C
DMP4015SSSQ-13 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓技术，提供低导通电阻和快速开关性能。
2. 内置反向恢复二极管，可降低开关损耗。
3. 出色的热稳定性，支持高达 175°C 的结温。
4. 更小的封装尺寸和更轻的质量，适合紧凑型设计。
5. 提供优越的动态性能和抗电磁干扰能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
DMP4015SSSQ-13 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 工业及消费类电机驱动控制。
3. 高频 DC-DC 转换器和逆变器。
4. 电动汽车充电设备。
5. 数据中心和电信设备中的高效电源模块。
6. LED 照明驱动电路以及其他需要高频、高效能的电力电子系统。
DMP4015UFG-7
DMP200N04SFG
GAN043-650WSA
