类型：P 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：-20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：-6.3A
　　导通电阻(Rds(on))：最大 75mΩ @ Vgs = -10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　安装类型：表面贴装

IRF9140EBPBF 具有多个关键特性，确保其在各种高压和高电流应用中的可靠性与效率。
　　首先，该器件具备非常低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs = -10V 时最大仅为 75mΩ，从而降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
　　其次，其漏源耐压（Vds）为 -20V，适用于多种低压功率管理电路，并能在瞬态条件下提供良好的保护能力。
　　此外，IRF9140EBPBF 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有出色的散热性能，能够在高电流负载下维持较低的工作温度，提高长期运行稳定性。
　　该器件还支持宽范围的栅极驱动电压（±12V），便于与各种控制器或驱动 IC 配合使用。
　　最后，其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于严苛环境条件下的工业和汽车电子应用。

IRF9140EBPBF 主要应用于需要高效功率控制的场合，如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、逆变器、不间断电源（UPS）等。
　　由于其低 Rds(on) 和高耐压特性，它也常用于便携式设备中的电源管理模块，以延长电池寿命并减少发热。
　　此外，在工业自动化控制系统中，IRF9140EBPBF 可作为高边或低边开关使用，实现对继电器、LED 灯组、加热元件等负载的有效控制。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及其他辅助电源模块，满足汽车级可靠性和耐久性要求。

Si9410BDY-T1-E3, FDS6680, IRF9Z34N, IRF9140SPBF