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DMP4013LFGQ-7 发布时间 时间:2025/5/10 10:46:21 查看 阅读:2

DMP4013LFGQ-7 是一款 N 沯道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 Diodes 公司的 DMOS 系列。该器件采用小型 LFPAK 封装,适合于高效能、低功耗的应用场景。其主要特点是导通电阻低,能够提供较高的开关速度和较低的功耗。
  该器件广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动以及 DC-DC 转换器等领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:4.1A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:18nC
  输入电容:1190pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:LFPAK33

特性

DMP4013LFGQ-7 的主要特性包括低导通电阻(Rds(on))设计,从而降低传导损耗并提高效率。其具备快速开关能力,非常适合高频应用。此外,该器件具有出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。同时,它还支持超宽的工作温度范围,确保在极端条件下的可靠性。
  另外,DMP4013LFGQ-7 的小型化封装使其成为节省空间的理想选择,特别适用于对 PCB 面积要求严格的便携式设备。

应用

该 MOSFET 广泛用于多种领域,例如消费电子中的负载开关、电池管理电路和充电保护电路等;工业领域中的电机驱动、逆变器控制和信号调节等;汽车电子中的电源转换和照明系统等。此外,由于其出色的电气性能,也常被用作同步整流器或降压转换器的核心组件。

替代型号

DMP4015LFGQ-7
  DMP4016LFGQ-7

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DMP4013LFGQ-7参数

  • 现有数量6,237现货
  • 价格1 : ¥7.55000剪切带(CT)2,000 : ¥2.93153卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)68.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3426 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerDI3333-8
  • 封装/外壳8-PowerVDFN