时间：2025/4/24 17:29:51
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DMP34M4SPS-13是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用小型化的DFN5x6封装形式。此器件因其高效率、低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能而被广泛应用于便携式设备、电源管理电路、负载开关以及DC-DC转换器等场景。该MOSFET在设计时特别优化了其热特性和电气特性，使其能够满足当今电子设备对空间紧凑性和高效能的需求。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可以兼容标准逻辑电平驱动，同时具备快速开关速度以减少开关损耗。此外，它还具有较低的栅极电荷和输出电容，有助于提升整体系统效率。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ
栅极电荷：7nC
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装形式：DFN5x6
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频应用中减少传导损耗。
2. 高效的开关性能，适合于各种开关模式电源及负载控制应用。
3. 宽范围的栅极驱动电压，可与多种控制器直接连接。
4. 小型化DFN5x6封装，节省PCB空间。
5. 较高的雪崩击穿能力和耐用性，提高了系统的可靠性。
6. 具备良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持稳定性能。
7. 支持高密度集成设计，简化了散热处理过程。
1. 手机和平板电脑中的电源管理单元。
2. 笔记本电脑适配器和充电器。
3. 固态硬盘（SSD）和USB接口的负载开关。
4. 各种DC-DC转换器和同步整流电路。
5. LED驱动器和汽车电子中的功率调节。
6. 可穿戴设备和其他空间受限环境下的电源解决方案。
7. 工业自动化控制中的信号隔离和功率传输控制。
DMP3008UFG-13, DMG3418UFG-13
