时间：2025/5/12 15:35:16
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DMP31D1UQ是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用DFN3*3-8封装形式。该器件主要用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用领域，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻：25mΩ
栅极电荷：12nC
输入电容：290pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至175℃
DMP31D1UQ具备超低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
该器件采用了先进的制造工艺，确保了其在高频开关条件下的稳定性和可靠性。
其小型化的DFN3*3-8封装适合空间受限的应用场景，并且具备良好的散热性能。
DMP31D1UQ还拥有较宽的工作温度范围，适用于各种严苛环境下的电子设备。
该MOSFET广泛应用于消费类电子产品、工业控制和汽车电子领域。
典型应用包括DC-DC转换器、电池管理模块、负载开关、电机驱动电路以及信号切换电路等。
由于其高效的功率传输能力和紧凑的尺寸，它特别适合对能效和空间有严格要求的设计。
DMP3031UEH
DMN2032UF
AO3400
