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DMP3160LQ-7 发布时间 时间:2025/6/29 0:20:41 查看 阅读:6

DMP3160LQ-7 是一款基于 DMOS 工艺制造的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提升系统的效率和可靠性。其封装形式为 SO-8 小外形封装,适合紧凑型设计需求。

参数

最大漏源电压:45V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:4.9A
  导通电阻:100mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  总功耗:1.1W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

DMP3160LQ-7 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 高浪涌能力,适用于瞬态电流较大的场景。
  4. 紧凑型 SO-8 封装,节省 PCB 布局空间。
  5. 出色的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

DMP3160LQ-7 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  6. 工业自动化设备中的功率转换模块。

替代型号

DMP3059LQ-7, IRF7404, FDP5500

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DMP3160LQ-7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.99167卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)122 毫欧 @ 2.7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)384.4 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.08W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3