DMP3160LQ-7 是一款基于 DMOS 工艺制造的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提升系统的效率和可靠性。其封装形式为 SO-8 小外形封装,适合紧凑型设计需求。
最大漏源电压:45V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:4.9A
导通电阻:100mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
总功耗:1.1W
工作结温范围:-55℃至+150℃
DMP3160LQ-7 的主要特性包括:
1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
3. 高浪涌能力,适用于瞬态电流较大的场景。
4. 紧凑型 SO-8 封装,节省 PCB 布局空间。
5. 出色的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
DMP3160LQ-7 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(Switching Power Supplies)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
DMP3059LQ-7, IRF7404, FDP5500